为了尽量减少热高分流程带来的氢气溶解损失，热高分的操作温度一般为多少（） A、220～260℃。 B、240～260℃。 C、150～160℃。 D、180～240℃。
在测量高频、高压电路时，应增加固定衰减器，以防止（）过冲。 A.电容。 B.电感。 C.信号。 D.电阻。
按照操作压力对加氢裂化装置进行区分，高压加氢裂化操作压力为（） A、大于10MPa。 B、大于8MPa。 C、大于6MPa。 D、8～10Mpa。
安装中插装二极管时，应注意若引线（）时易使玻璃外壳爆裂。 A.过长。 B.过多。 C.弯曲。 D.过长和过多。
催化剂再生过程中，再生温度高就会有无活性的金属氧化物生成或载体遭到破坏，一般再生温度不能超过多少（） A、350℃。 B、450℃。 C、500℃。 D、300℃。
MOS集成电路在安装时主要是防止（）。
