题目：溶剂蒸汽法制备高取向的有机半导体晶体

  近年来，有机半导体材料因为具有低廉的应用成本，简单的加工工艺，广阔的选材范围，灵活的性质调节，与柔性基片兼容性好的特点越来越受到人们的关注。然而，与无机晶体材料以共价或离子键的形成方式所不同的是，有机半导体晶体是通过较弱的分子间力相互作用排列而成，因此在光电性能上跟无机半导体材料相比还存在一定的差距。单晶材料不存在晶界，分子排列有序，缺陷较少，从而降低了电荷陷阱浓度，使大幅提高有机半导体的迁移率成为可能。本论文探讨了几种简单的小分子有机半导体的单晶制备方法，并成功制备出了高取向的有机半导体单晶阵列。主要内容如下：

1. 通过溶剂蒸汽退火(Solvent Vapor Annealing，SVA)方法获得小分子有机半导体单晶。该方法是一种经济高效的小分子半导体晶体生长制备方法，通过将有机半导体的多晶或无定形态薄膜置于溶剂蒸汽中处理，使薄膜分子活化再结晶，进而得到小分子半导体的单晶。同时对这种方法的各种影响因素进行了讨论，包括退火溶剂的种类，退火温度，聚合物介质的引入等。

2. 空间受限溶剂蒸汽退火(Space Confined Solvent Vapor Annealing，SCSVA)法制备取向一致的单晶图案。该方法结合溶剂蒸汽退火和压印技术，在溶剂蒸汽退火过程中使用带有图案的硅模板对晶体生长进行限制，制备大面积高取向的单晶阵列。利用该方法，我们获得了蒽，6, 13-双（三异丙基甲硅烷基乙炔基）并五苯（TIPS-PEN），和红荧烯的单晶阵列。

3. 熔融热压法在基底上获得具有一定取向的大面积的单晶薄膜。该方法是在高温下通过将半导体晶体熔融，然后在压力下冷却结晶形成大面积的单晶薄膜，方法操作简单，制备周期短，适于大面积加工。