2017年中国科学技术大学研究生院科学岛分院810电子学基础之电子技术基础-模拟部分考研冲刺密押题
● 摘要
一、分析计算题
1． 如图所示电路中，极管上的电流
设二极管正向压降为0.7V ，求流过二
图
【答案】先断开二极管支路，分别计算二极管正负极电位，依据二极管的单向导电性判断二极管是否导通。
首先判断二极管的状态。断开二极管支路，
设
二极管阴极电位为
的负极为电位参考点，
则二极管阳极电位为
由此可见，二极管承受反向电压，处于截止状态，所以二极管中电流为反向饱和电流，近似
2． 负反馈放大电路如图（a ）所示，已知运放的开环増益
图
（1）试判别反馈类型和极性。 （2）根据拆环法画出其基本放大电路。 （3）计算该电路的
和
【答案】（1）输出信号成电压并联负反馈。
通过的分压，直接与输入信号相并联，并使输入信号减小，构
（2）根据拆环规则，基本放大电路的输出端，因输入端是并联反馈，将输入端短路，则只有. 电阻并其上；基本放大电路的输入端，因输出端为电压反馈，需输出端短路，则输入端有并联电阻并其上。故其基本放大电路如图（b ）所示。
与
图（b ）
（3）因为电压并联负反馈放大电路的基本关系为闭环互阻増益，故:
其中
则
由于为并联反馈，所以输入电阻
该电路的闭环电压增益为
输出电阻
3． 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度（2）若再掺入受主杂质，其浓度（3）若（4）若
重复（1）
重复（1）
重复（1）
（1） 求室温300 K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。
【答案】 判断半导体类型，主要通过比较空穴与自由电子的浓度，自由电子浓度高则为N 型，
反之为P 型，若相等则为本征半导体。
（1）己知本征硅室温时热平衡载流子浓度
值
所以可得多子自由电子浓度为
少子空穴浓度
该半导体为N 型。 （2）因为少子电子浓度
该半导体为P 型。 （3）因为（4）因为空穴浓度
该半导体为N 型。
4． 恒流源式的差分放大电路如图所示。各晶体管的参数均相同，且源电压
（1）静态时各管的和（2）差模电压放大倍数（3）差模输入电阻
和输出电阻
：和共模抑制比
（4）共模电压放大倍数
电阻
管的
其滑动端位于中点。试估算：
电且
所以
该半导体为本征半导体。 所以，多子自由电子浓度
所以多子空穴浓度
，施主杂
质
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