2017年中国科学技术大学研究生院科学岛分院810电子学基础之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟题
● 摘要
一、分析计算题
1． 共源放大电路如图（a ）所示。已知MOSFET 的相关参数为
：
各电容对信号可视短路。试求：
（1）静态电流（2）电压增益
和输入电阻
和输出电阻
。
图
【答案】（1）
联立上式解得
（2）为求图中
为求输出电阻，利用辅助电源法可将图（b ）画成图（c ）电路。 由图（c ）可得
2． 已知场效应管电路如图（a ）所示。设MOSFET 的忽略沟道长度调制效应。
=
，
，先画出其微变等效电路，如图（b ）所示。
（a ） （b ）
图
（1）试求漏极电流
场效应管的
的值。
联立上式求解得
（2）画出电路的低频微变等效电路，并求参数【答案】（1）设电路工作在饱和区，则
可见符合工作在饱和区的假设条件。 （2）低频微变等效电路如图（b ）所示。
3． 电路如图所示。设FET 参数为：
判断场效应管是处在饱和区还是非饱和区，并求饱和区中的电流（1）（2）
当
分别取下列两个数值时，
图
【答案】由图可见。电路为结型场效应管构成的共源放大电路。 饱和区与非饱和区临界线方程为
因为⑴
所以当
说明FET 工作在饱和区，假设成立，此时（2）
说明FET 工作在非饱和区，此时的曲
线与电路的输出直流负载线的交点确定。
而应受
的控制，此时
由FET 输出特性上V es=OV
设FET 进入饱和区，则
进入饱和区；当
进入非饱和区。
设FET 进入饱和区，则
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