2017年大连理工大学电子信息与电气工程学部851电子技术考研题库
● 摘要
一、分析计算题
1． 已知各FET 各极电压如图所示，并设各管的区，饱和区，截止区或不能正常工作）。
试分别判别其工作状态（可变电阻
图
【答案】图（a ）中，N 沟增强型MOSFET ，因为
所以工作在临界饱和状态。
图（b ）中，N 沟耗尽型MOSFET ，
所以工作在可变电阻区。 图（c ）中，P 沟增强型
MOSFET
所以工作在饱和区。 图（d ）中，为N 沟JFET ，
所以工作在截止区。
2． 功放电路（OTL ）如图所示。 （1）设（2）如
和和
的饱和压降为零，最大输出功率是多少？ 的
,
，当
，晶体管的饱和压降为0.5V :电路
开路时将产生什么后果？器件参数仍如（2）所
最大的输出功率为多少？ （3）设晶体管的述。
图
【答案】电路为单电源供电: （1）在忽略饱和管压降的条件下:
检验得:
由此:最大输出功率受器件（3）
的限制不能得0.945W ，应为
互补对称，所以
因此，当开路时会造成器件损坏。
3． 已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为
（1）写出该放大电路的电压放大倍数的表达式； （2）求出该电路的和各约为多少； （3）画出该电路的波特图。 【答案】（1）电压放大倍数：
（2）由电压放大倍数可得第一、二级放大电路的下限频率和上限频率，即：
由于
因此，
（3）根据电压放大倍数的表达式变换可得
说明中频段电压放大倍数波特图如图所示。
即增益为80dB 。
图
4． 在图所示的放大电路中，已知（1）试问（2）列出（3）设
分别应选用多大的电阻；
的表达式；
则输出电压
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