2017年大连理工大学电子信息与电气工程学部851电子技术考研导师圈点必考题汇编
● 摘要
一、分析计算题
1． 对称差动放大电路如图（a ）所示。已知晶体管
（1）画出差模半电路和共模半电路的交流通路。 （2）求
和的静态集电极电流
和晶体管的输入电阻差模输入电阻
共模电压增益
（3）求双端输出时的差模电压增益和共模抑制比
和差模输出电阻和
的
并设
（4）求反相端单端输出（即接集电极的一端入地）时的差模电压增益
任一输入端看入的共模输入电阻
（5）确定电路最大输入共模电压范围。
任一输出端呈现的共模输出电阻
图（a ）
其中，对共模信号呈开路。
【答案】（1）差模半电路和共模半电路的交流通路分别如图（b ）和（c ）所示。
图
（2）因为电路对称，所以
（3）差模电压增益
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差模输入电阻：
差模输出电阻：
（4）单端输出差模电压增益：
共模电压増益：
共模抑制比：
上的压降，可得：
应满足
否则晶体管饱和。
如果图中能
是用恒流源
则只要
应满足
共模输入电阻：
共模输出电阻：（5）设晶体管的为保证
和
时进入饱和区，略去
工作在放大区，正向最大共模输入电压
为保证和工作在放大区，负向最大共模输入电压
否则晶体管截止。 可得最大共模输入范围为
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2． 已知场效应晶体管的输出特性或转移特性如图所示。试判别其类型，并说明和漏电流、夹断电压（或开启电压）各为多少。
的饱
图
【答案】FET 有JFET 和MOSFET ，JFET 有P 沟（MOSFET 中有耗尽型P 沟和N 沟（（
只能为正）。
图（b ）:P 沟结型
FET
图（c ）:N 沟增强型
MOSFET
无意义，
3． （1）在图（a ）电路中，若晶体管差动放大级的差模电压放大倍数（2）在图（a ）电路中，若要求负载电阻
后的电压放大倍数
是多少？
允许的最小值是多少？
和
特性对称，且已知电流放大倍数和电阻
？引入反馈
基本不变，应如何引入反馈电阻
试求
图（a ）:N 沟耗尽型
MOSFET
只能为正）和（N 沟
只能为负）之分。只能为负）和N 沟
，增强型P 沟（可为正、零或负）
和差模输入电阻变化时
（3）在图（a ）电路中，若运放A 允许的最大共模输入电压为10V ，则（5）写出图（b ）电路中电压放大倍数.
和输出电阻
（4）判断图（b ）电路中引入的反馈类型（电压或电流、串联或并联、正或负反馈）？
的近似表达式。
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