登录
注册
欢迎来到问答库
问答库官网
搜索答案
网站首页
建筑工程
IT认证
资格考试
会计考试
医药考试
外语考试
外贸考试
学历考试
当前位置:集成电路制造工艺员题库>
集成电路制造工艺员(三级)题库
问题:
[单选] 当热氧化的最初阶段,()为限制反应速率的主要原因。
A . 温度
B . 硅-二氧化硅界面处的化学反应
C . 氧的扩散速率
D . 压力
散打技法目的是:(). 防守。 反击。 进攻。 击中或防位。 照《金融机构客户身份识别和客户身份资料及交易记录保存管理办法》,法人、其他组织和个体工商户客户的“身份基本信息”包括哪些?(举例即可) 下面()操作,可引起精馏塔釜温度的降低。 A、降低回流量。 B、提高回流量。 C、降低加热蒸汽量。 D、提高塔顶压力。 什么是配矿? 作品虽然类似但如果系作者完全独立创作的,则不能认为是剽窃。 当热氧化的最初阶段,()为限制反应速率的主要原因。
参考答案:
查看
●
参考解析
本题暂无解析
相关题目:
散打技法目的是:().
照《金融机构客户身份识别和客户身份资料及交易记录保存管理办法》,法人、其他组织和个体工商户客户的“身份基本信息”包括哪些?(举例即可)
下面()操作,可引起精馏塔釜温度的降低。
什么是配矿?
作品虽然类似但如果系作者完全独立创作的,则不能认为是剽窃。
在线 客服
相关内容
●
灭火救援应用计算题库
●
建筑耐火性能与建筑消防设施题库
●
灭火救援业务训练题库
●
灭火救援组织指挥题库
●
各类火灾的扑救题库
●
抢险救援行动题库
●
大型活动消防保卫勤务题库
●
消防通信题库
相关标签
公务员
考试
尔雅
论文
作业
考研资料