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题目:掺杂氧化锌材料的研究及其应用于太阳电池的AZO膜研制

关键词:掺铝氧化锌;掺杂;烧结工艺;电学性能

  摘要

Zinc Oxide (ZnO)是II-VI族具有纤锌矿结构的直接带隙(禁带宽度为3.37eV)半导体材料,晶体类型为六角柱结构。掺铝氧化锌(AZO)薄膜的透明导电性与氧化铟锡(ITO)接近,但其价格较为低廉且无毒性。因此它是薄膜太阳电池重要的前电极和背反射电极材料,同时也是降低该种电池成本的重要途径。所以AZO透明导电氧化物薄膜成为国内外研究的热点,引起了大家的广泛重视。要获得高质量的AZO薄膜,必须具有优质AZO靶材。因此研制高导电性、高致密度的靶材成为获得优质AZO薄膜的基础。本文系统讲述了AZO粉末、靶材、薄膜的国内外研究现状和制备方法;系统研究了粉末成型压力、Al2O3掺杂量、烧结工艺、烧结剂的加入等因素对AZO陶瓷靶材电学、物理性能以及显微形貌的影响规律;最后制备并研究了AZO膜。采用均匀沉淀法制备AZO粉末,运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试方法对AZO粉体进行表征,结果表明溶液反应温度在90-100℃、pH值为8.5-9、煅烧温度为450℃时制备出的AZO粉末质量较好。预制AZO陶瓷靶坯体,经常压高温烧结成高致密度、高导电性的AZO陶瓷靶。通过Hall测试、XRD、SEM等测试方法分析AZO靶材的性能。结果显示:(1)粉末成型压力为4MPa、保压时间为5min时,靶材电学性能最佳;(2)当Al2O3:ZnO质量比为3:100时,AZO的电阻率最低达2.14×10-3Ω•cm,迁移率为61.79 cm2/VS, 载流子浓度为34.1795×10191/cm3;当Al掺杂量超过某一数值后,Al不再以替位离子形式存在,而是与周围的锌、氧原子共同作用,生成锌铝尖晶石相,从而导致材料的电阻率升高。(3)在1450℃时,从断面形貌看,气孔较少,主要存在晶粒交界处,并且气孔圆化,基本上达到了陶瓷靶材的烧结终点。同时靶材的相对密度达到最大值98.61%,质量损失率也在10%以下。(4)加入烧结剂Ga时能稍微提高靶材的相对密度,最高可达99.46%,质量损失率有所下降。(5)采用磁控溅射法制备AZO膜,经分光光度计测试,薄膜的透过率达到90%以上。