题目：基于CMOS工艺的接收机射频前端集成电路设计

接收机接收到的射频信号从天馈下来以后，就是射频前端接收电路，其性能优劣对整个系统有很大影响。尤其是随着无线接收系统小型化及低成本的发展趋势，人们要求系统集成度越来越高。由于基带部分以处理数字信号为主，多使用高集成度的硅CMOS工艺。而在射频/中频部分，目前主流工艺仍以砷化镓、锗硅工艺为主，这不利于与基带处理模块集成。随着射频CMOS工艺的发展，特征尺寸的不断缩小，CMOS工艺逐步应用到模拟、射频电路，使得用CMOS工艺设计出符合要求的射频前端电路如低噪声放大器，混频器等成为可能。本文首先比较了各种接收机射频前端的结构，分析了各种结构的优劣。确定了各部分电路结构后，然后采用台积电0.25um RF CMOS工艺实现了可应用于2.4GHz的射频前端芯片，其中包括低噪放和正交下变频器，及片上恒定Gm的偏置电流源。仿真工具使用Cadence的SpectreRF射频仿真器，完成了原理设计到之后的仿真结果，最后完成版图设计。版图面积1.25x2.5mm2，功耗为50mW。