2017年上海大学机电工程与自动化学院839模拟与数字电路之电子技术基础-模拟部分考研冲刺密押题
● 摘要
一、分析计算题
1．
（1）说明
单级放大电路如图（a ）所示。 管的作用。
输入电阻
和输出电阻
的表达式。
（2）画出其微变等效电路。 （3）写出电压增益
图
【答案】（1）（b ）所示。 （3）
2． 在图所示电路中，发光二极管导通电压问：
（1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？
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管构成共源组态放大器，管是管的漏极有源负载，可以用来提高放大倍数。
（2）考虑到管的衬底效应（，其微变等效电路如图5-14管衬底与源极连接不存在衬底效应）
正向电流在5〜15mA 时才能正常工作。试
图
【答案】（1）S 闭合时发光二级管才有正向电流，才有可能发光。 （2）发光二级管的正向电流过小将不发光，过大将可能损坏，
即
据已知条件有
可得R 的取值范围为0.23k Ω≤R ≤0.7 kΩ
3． 比较图所示两个电路，分别说明它是如何消除交越失真和如何实现过流保护的。
图
【答案】图（a ）中，过流保护作用。 当时因
导通时，
大于开启电压使
使
导通时，
大于开启电压，故使
导通，为
未过流时基极分流。未过流时导通，为
较小，因对
小于开启电压使为电流采样电阻，
对
截止；过流对
起过流截止；
起过流保护，原因与上述相同。
小于开启电压，故使
使
微导通，可消除交越失真。为电流采样电阻，
对
起
图（b ）中，保护。当过流时因与上述相同。
微导通，可消除交越失真。
较小，因
基极分流。起过流保护作用，原因
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4． N 沟道场效应管放大电路如图所示，说明对N 沟道其他类型的管子、其偏置电路应如何设置。
图
【答案】由题意得
（1）对N 沟道结型场效应管
应为负值，要满足：
（2）对N 沟道增强型场效应管，
要满足：
（3）对N 沟道耗尽型场效应管，可正，可负，也可为0。
5． 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度（2）若再掺入受主杂质，其浓度（3）若（4）若
反之为P 型，若相等则为本征半导体。
（1）己知本征硅室温时热平衡载流子浓度
值
所以可得多子自由电子浓度为
少子空穴浓度
该半导体为N 型。 （2）因为
所以多子空穴浓度
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（1） 求室温300 K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。
重复（1）
重复（1）
重复（1）
【答案】 判断半导体类型，主要通过比较空穴与自由电子的浓度，自由电子浓度高则为N 型，
，施主杂
质