2017年上海大学机电工程与自动化学院836电子技术之电子技术基础-模拟部分考研强化模拟题
● 摘要
一、分析计算题
1． 电路如图所示，图中运放A 是放大倍数为1的缓冲器。 （1）试判断该电路的反馈类型和极性。 （2）估算满足深度负反馈条件的源电压增益
图
【答案】（1）输出信号馈与输入均接入场（2）从图看出，
通过
接至所以
因为该电路为深度串联负反馈，故一般满足
，所以
或用虚短的概念求:因为
所以
’而
则
的发射极，若输出短路，反馈变为零，为电压反馈；反
的栅极，故为并联反馈，故构成电压串联负反馈。 上的电压为
2． 如图1所示电路图中，
图1 电路图
（1）估算Q 点；
（2）画出h 参数的等效电路图； （3）如果输出端接在【答案】（1）静态工作点为
（2）电路的h 参数等效电路图，如图2所示。
的负载上，计算
图2
（3）如果输出端接在
的负载上，则有
又因为
所以
3． 已知场效应晶体管的输出特性或转移特性如图所示。试判别其类型，并说明和漏电流、夹断电压（或开启电压）各为多少。
的饱
图
【答案】FET 有JFET 和MOSFET ，JFET 有P 沟（MOSFET 中有耗尽型P 沟和N 沟（（
只能为正）。
图（b ）:P 沟结型
FET
图（c ）:N 沟增强型
MOSFET
无意义，
4． 放大电路如图（a ）所示。已知（1）试求该电路的静态漏极电流（3）画出低频微变等效电路。 （4）试求器件的；
值，电路的
和
和栅源电压
应取何值？
图（a ）:N 沟耗尽型
MOSFET
只能为正）和（N 沟
只能为负）之分。只能为负）和N 沟
，增强型P 沟（可为正、零或负）
（2）为保证JFET 工作在饱和区，试问电源电压
图（a ）
【答案】电路为由N 沟道结型场效应管构成的共源极放大电路。 （1）T 为N 沟道JFET , 所以.
故可列出
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