2017年上海大学机电工程与自动化学院915电子技术与控制工程(专)之电子技术基础-模拟部分考研强化模拟题
● 摘要
一、分析计算题
1． 已知场效应晶体管的输出特性或转移特性如图所示。试判别其类型，并说明和漏电流、夹断电压（或开启电压）各为多少。
的饱
图
【答案】FET 有JFET 和MOSFET ，JFET 有P 沟（MOSFET 中有耗尽型P 沟和N 沟（（
只能为正）。
图（b ）:P 沟结型
FET
图（c ）:N 沟增强型
MOSFET
无意义，
2． 已知场效应管电路如图（a ）所示。设MOSFET 的忽略沟道长度调制效应。
=
，
图（a ）:N 沟耗尽型
MOSFET
只能为正）和（N 沟
只能为负）之分。只能为负）和N 沟
，增强型P 沟（可为正、零或负）
（a ） （b ）
图
（1）试求漏极电流
场效应管的
的值。
联立上式求解得
可见符合工作在饱和区的假设条件。 （2）低频微变等效电路如图（b ）所示。
3． 电路如图所示，
已知
出
的表达式。
试求
各约为多少，并写
（2）画出电路的低频微变等效电路，并求参数【答案】（1）设电路工作在饱和区，则
图
【答案】中频段电压放大倍数为
由于
而
所在电路的等效电阻远小于另两个电容所在电路的等效电阻，故可以近似
认为下限频率决定于所在回路的时间常数，有
先求出g —s 之间的等效电容
再求解其所在回路的时间常数R ，即可得到上限频率
中频带电压放大倍数：
电压放大倍数：
4． 在图所示的放大电路中，已知（1）试问（2）列出（3）设
分别应选用多大的电阻；
的表达式；
则输出电压
图
【答案】（1）包含
的放大电路部分为同相比例运算电路，为了使集成运放反相输入端和同相输
包含的放大电路部分为反相比例运算电路。
由于集成运放的反相输入端和同相输入端实际上是运放内部输入级两个差分对管的基极，为使差动放大电路的参数保持对称，应使两个差分对管基极对地电阻尽量一致，因而有
（2）由“虚断”和“虚短”的特点可得
运放的反向输入端电压记做
则
入端对地电阻一致，则有
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