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2017年上海大学机电工程与自动化学院915电子技术与控制工程(专)之电子技术基础-模拟部分考研冲刺密押题

  摘要

一、分析计算题

1. 电路如图所示,

已知各管调制系数

试分别求出各管的沟道宽度

沟道长度

沟道长度

【答案】由于各增强型MOSFET 的阈值电压管偏置电流

得到

根据电阻比的关系,可得到

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为2V , 满足的电路导通条件,并且

各MOS 管一定工作在饱和导通工作区,由于串联支路电流连续,其导通电阻比为

则有

2. 电路如图所示,设所有BJT 的图所示。求:

(1)两级放大电路的电压增益(2)

(3)第一级单端输出时的差模电压增益注:源极恒流源交流等效电阻为

其他参数如

共模电压增益和共模抑制比

【答案】(1)两级放大电路的电压增益

(2)输入电阻

(3)第一级单端输出时的差模电压增益

源极恒流源交流等效电阻

输出电阻

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第一级单端输出的共模电压增益和共模抑制比分别为

3. 双电源互补推挽功放电路如图所示,其中的偏置。

为推动管,

和为互补输出管。图中省略基极

(1)静态时A 点电位为多少?如不能达到要求,应调整哪个电阻? (2)诶(3)设电源功耗

为正弦信号,略去尺4和只5上的压降和晶体管的饱和压降,求最大输出功率.

、最大集电极功耗

时,已知每管管耗达到最大值,试问

和最高效率

上的压降,充分激励时,求最大输出功率

的饱和压降为IV ,并考虑

最大电源功耗

和效率

(4)当输出电压幅值(5)输出管

的参数如何选择?

【答案】电路为双电源供电电路。

(1)静态时A 点电位为零,一般可通过调节电阻(2)

来达到。

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