2018年中国科学技术大学核科学技术学院810电子学基础之电子技术基础-模拟部分考研强化五套模拟题
● 摘要
一、简答题
1． 如图1所示电路和的波形，其中出P 点及
的波形
。试画
图1
【答案】当
P 点的电位时，
P 点电位瞬时升高到20V ，在当的上升沿到来时，
；当的下降沿到来时，P 点电位瞬
. ，由于迟滞比较器的作用，
附近，然后开始下降到10V 稳定，下降时间常数时下降到0V 附近，然后开始升高到10V 稳定，上升时间P 点及
的波形如图2所示。
图2
2． 已测得晶体三极管各极对地电位如图所示。试判断各晶体三极管处于何种工作状态(饱和、放大、截止或损坏) 。
图
【答案】
锗管
，
硅管
。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向，PNP 管
。三极管无论是PNP 型还是
偏置且集电结反向偏置，即NPN 管
NPN 型在电流电压不同输入时，其发射结、集电结的状态是相同的，即截止区:发射结、集电结反偏；放大区:发射结正偏、集电结反偏；饱和区:发射结正偏、集电结正偏。
在图(a)中，3AD6是锗PNP 管，所以晶体管工作在放大区。
在图(b)中，3DG6是硅NPN 管，所以晶体管工作在截止区。
在图(c)中，3CG2是硅PNP 管，
在图(d)中，3BX1是锗NPN 管
而和不为零，表明发射结短路，晶体管已损坏。，即发射结正偏
即集电结零偏，所以晶体管
，，即发射结反偏
，即集电结反偏，
，即发射结正偏
即集电结反偏，
工作在临界饱和区。
3． 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图1所示。在圆圈中画出管子, 并分别说明它们是硅管还是锗管。
图1
【答案】对于放大状态的NPN 管, 管满足
, 射极电压最高, 基极电压次之。两个相差比较小的电压分别是基极和发射极电压,
且对于硅管, 两者之间电压为管子的型号, 如图2所示。
; 对于锗管,
两者之间电压为
左右。由此可以得出每个
, 满足集电极电压最高, 基极电压次之; 而PNP
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图2
4．
电路如图所示. 已知:
(1)简述电路工作原理；
(2)标出两个输入端中的同相端及反相端； (3)在
时,
,
且
确定各静态工作点及
的值；
(4)求总的电压放大倍数.
,
图
【答案】(1)这是一个由四级放大单元组成的集成运放电路, 级间为直接耦合.
第一级是差分输入级, 双端输入单端输出, 尾电阻采用基本恒流源结构以提高交流阻抗, 降低共模增益.
第二级为CE 增益级, 高工作点的稳定性, 和D 给随或隔离作用好；
第四级同样为CC 射极跟随器, 提高负载电流驱动能力. (2)根据瞬时极性法, 可判断出(3)级静态电流和结点电位:
和组成达林顿复合管以提高电流增益, 为直流负反馈电阻以提
提供直流偏置；
的输出电阻, 由于该电阻极大, 电压的跟
第三级为CC
射级跟随器, 起电压缓冲作用, 负载为
为反相端；为同相端: