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2017年伊犁师范学院电子与信息工程学院705数字电路考研仿真模拟题

  摘要

一、填空题

1. 通常以是否有_____作为区别功能部件和数字系统的标志。

【答案】控制单元

2. 8位DA 转换器当输入数字量只有最高位为高电平时输出电压为5V ; 若只有最低位为高电平,则输出电压为_____,若输入为10001000, 则输出电压为_____。

【答案】

3. 如图所示门电路的与非逻辑式为

F=_____.

【答案】

【解析】图中所示是或非电路,

4. 制作ASIC 的方法大体可分为两种,一种是_____,即由半导体厂家制造;另一种是_____,用户通过计算机和开发工具,将所设计的电路或系统" 编程”到芯片上。

【答案】掩模方法;现场可编程方法

5. 主从JK 触发器的一次变化问题是指:在时钟信号为高电平期间_____(①生触发器状态只能改变一次;②生触发器状态必能改变一次)。

【答案】①

【解析】主触发器本身为同步RS 触发器,在CP=1的全部时间输入信号都将对主触发器其控制作用,状态只能改变一次,可能会是保持,不是必改变一次。

6. 三位二进制减法计数器的初始状态为101,四个CP 脉冲后它的状态为_____。

【答案】001

【解析】初始状态为101,四个CP 脉冲后101+100=1001,1001的首位是进位,所以不显示。

7. 以下半导体存储器,可重复编程的ROM 有_____,需要定时刷新的RAM 有_____,_____是其中读写速度最快的RAM , 典型应用事例_____充分体现了这点。

【答案】C 、D 、F ; B 、G ; G ; 高速缓存

【解析】在只读存储器中,掩模ROM 固定内容,不可更改;PROM 只能写入一次;EPROM 可进行重复编程,用紫外线照射进行擦除;

(EEPROM )用电信号擦除;快闪存储器(Flash

Memory )用电信号擦除,可以重复编程。SDRAM 是同步动态存储器,DDRRAM 属于SDRAM , DMA 、DRAM 主要应用于实时系统,它的速度更快,且具有2bit 的预读取能力,高速缓存比较常见。均需要进行定时刷新。

8. 对于D 触发器,欲使

【答案】

,可得

,则输入D=_____。

【解析】根据D 触发器的特性方程

二、简答题

9. 由555定时器构成的施密特触发器如图10(a )所示。

(1)在图1(b )中画出该电路的电压传输特性曲线; (2)如果输入为图1(c )所示信号,对应画出输出

的波形;

(3)为使电路能识别出中的第二个尖峰,应采取什么措施? (4)在555定时器的哪个管脚能得到与3脚一样的信号,如何接法?

图1

【答案】(1)阈值电压为

电压传输特性如图2(a )所;

图2

(2)

的波形如图2(b )所示。

(3)为识别出中的第二个尖峰,应在555定时器的5脚接3V 控制电压发器的阈值电压为

(4)在555定时器的7脚与电源间接上拉电阻,能得到与3脚一样的信号。

调整施密特触

10.下面3个卡诺图如图 (a )(b )(c )所示代表3个4变量逻辑的逻辑函数。

(1)用PROM 实现,画出码点矩阵图; (2)用PLA 实现,画出码点矩阵图。 【答案】(1)写出逻辑函数的最小项形式。

图 卡诺图

用PROM 实现的码点矩阵图如图 (d )所示。

图 (d )PROM 点矩阵图

(2)将逻辑函数化简成最简与或式,卡诺图如图(e )至(g )所示,得

简化逻辑函数式: