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题目:基于特征提取的性能衰退趋势分析技术研究

关键词:IGBT;特征提取;衰退预测;状态评估

  摘要


随着科学技术的不断进步,电子设备的结构越来越复杂、设计呈现精密化且功能逐渐集成。先进的技术和高度的集成使电子设备具备强大的功能,在系统运行过程中起到了关键作用。与此同时,在电子设备发生故障时,将会对整个系统造成严重影响,带来巨大的经济损失,甚至危及生命安全。因此,对电子设备进行监测、发现隐含的故障和问题就显得极其重要。对于具有大规模集成电路的电子设备,往往具有故障检测时间长、检测工具精度要求高、故障诊断困难和维护费用高等诸多问题。面对复杂的电子设备,故障的预防与诊断远比设备维护和故障维修更加节省费用,也越来越受到重视。而故障预测技术的关键在于数据的提取和处理,这些都归结为趋势分析方面的问题。

本文针对以上问题,选取绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的故障数据作为研究对象,进行基于特征提取的性能衰退趋势分析技术研究。

首先,对IGBT的结构、工作原理和失效原因进行研究,在此基础上选取合适的IGBT特性参数作为处理对象,并对参数进行预处理。通过对特征提取方法的研究,尝试选用经验模态分解(EMD)和局部光滑三角基(LTT)两种提取方法分别对数据进行处理,从中选用效果较好的EMD方法的处理结果。在提取结果的基础上使用反向传播(BP)神经网络和支持向量机(SVM)两种方法实现对IGBT的趋势预测,通过对比分析选用神经网络方法的预测结果。在对产品状态进行评估的过程中,引入了参数健康状态指标、剩余寿命(RUL)误差率和预测灵敏度,通过案例验证了参数的意义,并对产品的健康状态进行了评估。在文章的最后对本文的工作进行了总结,并对下一步的研究方向进行了展望。