其他运行条件不变，当凝汽器真空恶化时，循环热效率ηt和排汽干度x2的变化规律是（）。 ηt增大，x2减小；。 ηt减小，x2增大；。 ηt增大，x2增大；。 ηt减小，x2减小。。
在射孔过程中，对储层伤害的描述，错误的为（）。 射孔碎片会堵射孔眼，在孔周围形成地渗透压实带；。 在压差下射孔，射孔液、固相颗粒压入油层；。 射孔液进入储层，可造成伤害；。 钻井液压差过大，固相颗粒浸入油层。。
对于凝汽器的真空而言，下列说法正确的是（）。 真空越高越好；。 真空越低越好；。 最佳真空与机组负荷有关；。 最佳真空与冷却水温度无关。。
气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（）性、（）率，并影响其电学性能和（）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
在钻井过程中，储层损害的两个主要因素是（）。
