当前位置:半导体芯片制造工题库>半导体制造技术题库

问题:

[问答题,论述题] 对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

汽水管道发生破裂、水击、振动时应如何处理? 单次状态估计计算时间,基本要求岌()s,争取毛l0s。 ["30","45","60","1200"] 简述岗位分析的内容。 电网调度自动化系统月平均运行率,基本要求95%,争取()。 ["96%","98%","99%","100%"] 试说明老小区FTTH用户需求量大时,从FTTN向FTTH改造的建设方案 对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
参考答案:

  参考解析

本题暂无解析

在线 客服