题目：基于28纳米工艺GPU深度模块的物理设计与实现

集成电路技术经过几十年的快速发展，工艺制程技术依照摩尔定律的规律不断推陈出新。新工艺给芯片注入新的活力，在面积和性能上都有较大提升，继续推动着集成电路产业的发展。但是，由于新工艺缩短了晶体管的沟道长度、减小互连线的宽度，也给后端物理设计和生产制造带来了很大的挑战。

本论文基于GPU（Graphics Process Unit）内部Depth Block模块，首先从集成电路后端物理设计的流程开始，分析了三种常用设计和实现的流程方法，并结合本课题芯片规模的特点，选用了层次化的流程方法。接下来，根据层次化后端物理设计实现方法，研究了数据库的准备、布图布电规划、标准单元布局、时钟树综合、布线及优化、静态时序分析（Static Timing Analysis，STA）和版图验证。本课题采用GlobalFoundries 28纳米先进工艺，结合Synopsys、Cadence以及Mentor Graphics等公司的EDA工具，通过层次化的后端物理设计流程，实现了DB模块从RTL网表到物理版图的设计和实现工作，交付给晶圆代工厂生产流片并上市。

除了对后端物理的设计与实现外，还重点对预防拥塞方法、28纳米下可制造性设计（DFM）以及AOCV的应用和实现方法的关键点展开了研究。

通过对以上集成电路后端物理设计的深入研究，获得了28纳米工艺下后端物理设计方法上的相关结论，并对以后的设计项目有借鉴意义。