● 摘要
一维半导体纳米结构因其具有一系列优异的性能而受到广泛关注。氧化镓(Ga2O3)、氮化镓(GaN)和氧化锌(ZnO)都是重要的宽禁带半导体材料，它们的带隙分别在4.9 eV，3.39 eV，3.2 eV。本文利用一种简单气相反应法制备了氧化镓一维纳米结构，相比于传统的气相反应法，该方法最大的优点在于实验可以在常压下进行，并且不需要催化剂的辅助。氧化镓一维纳米产物可以通过实验参数进行调节。研究结果表明，反应气氛对实验结果的影响非常重要。样品的生长机制不是著名的VLS机制，而是类似于VS机制的气相外延过程。对氧化镓样品进行了紫外光响应性能的测试，测试结果证明样品具有紫外光响应特性，而且具有较短的紫外光响应时间以及恢复时间。通过对样品电路的并联设计，发现其紫外光响应特性还有进一步提升的空间。利用化学气相反应法制备了氮化镓纳米线，并对其结构、形貌以及成分进行了表征，最后还对纳米线的生长过程进行了讨论，认为在生长过程中VLS机制和VS机制是共存的。在已制备出的氮化镓纳米线上沉积了氧化锌，通过分析初步判断所得产物为氮化镓-氧化锌核壳结构。