2018年广东工业大学材料与能源学院840电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研强化五套模拟题
● 摘要
一、填空题
1． 共模抑制比
是_____之比, 因此
越大, 表明电路的_____性能越好。
【答案】差模增益与共模增益, 对共模信号(如噪声) 的抑制
2． BJT 晶体管电流放大作用是用较小的_____电流控制较大的_____电流，所以晶体管是一种_____控制器件。
【答案】基极，集电极，电流。
【解析】晶体管的放大作用表现为小的基极(b)电流可以控制大的集电极电流。并且晶体管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。
3． 双极型三极管工作在放大状态的偏置特点是_____，工作在饱和区的偏置特点是_____。
【答案】发射结正偏、集电结反偏；发射结正偏、集电结正偏
【解析】三极管无论是PNP 型还是NPN 型在电流电压不同输入时，其发射结、集电结的状态是相同的，即截止区:发射结、集电结反偏；放大区:发射结正偏、集电结反偏；饱和区:发射结正偏、集电结正偏。
4． 采用开关稳压电源的目的是为了_____(①提高电源效率，②减小输出纹波) 。
【答案】①
【解析】线性稳压电路的调整管工作在放大状态，自身功耗较大，效率较低。而开关稳压电路中的调整管工作在开关状态，当其截止时，因电流很小而管耗很小；当其饱和时，管压降很小使得管耗也很小，这将大大提高电路的效率。
5． 场效应管栅源电压的作用是_____。
【答案】控制漏极电流 【解析】场效应管栅源电压' 极电流。
可以改变导电沟道的宽窄, 从而控制多子漂移运动所产生的漏
二、选择题
6． 对于图所示的复合管，假设
穿透电流
为（ ）。
和分别表示单管工作时的穿透电流，则复合管的
图
A.
B. C.
D.
【答案】D 【解析】
的基极，
若
穿透电流为
，则
的射极电流应达到
，
的射级为
所以复合管穿透电流为
7． 二极管的主要特点是具有（ ）。
A. 电流放大作用 B. 单向导电性 C. 稳压作用 【答案】B
【解析】二极管正向接入时电阻趋于零，相当于短路；反向接入时电阻趋于无穷大，相当于开路，所以二极管的主要特点是具有单向导电性。
8． 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A. 前者反偏，后者也反偏 B. 前者正偏，后者反偏 C. 前者正偏，后者也正偏 【答案】B
【解析】使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。
9． 测量一放大器的输出电阻时，当输出开路时，输出电压为3V ; 当负载为时，输出电压为IV ，则该放大器的输出电阻为（ ）。
A.
B.
C.
【答案】B
【解析】当输出开路时，输出电压3V 即相当于电压源，当接入即负载分压，且输出电阻不包括负载，
所以输出电阻为
10．接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）。
A. 电阻阻值有误差 B. 晶体管参数有分散性 C. 晶体管参数受温度影响 D. 电源电压不够稳定 【答案】C
BJT 输入特性曲线将向左移动，【解析】温度升高时，这说明在相同的条件下，
随温度变化的规律与二极管正向导通电压随温度变化的规律一样，即温度每升高1℃,
。
11．和TTL 电路相比CMOS 电路最突出的优势在（ ）。
A. 可靠性高 B. 抗干扰能力强 C. 速度快 D. 功耗低 【答案】D
【解析】TTL 电路以速度快, CMOS 以功耗低。
将减小。减小
。
的负载时，输出等于IV ,
三、分析计算题
12．电路参数如图所示, 求:
(1)单端输出且(2)单端输出时, (3)电路的差模输入电阻【答案】(1)
时,
当
时,
(2)
且单端输出时, 差模电压增益为
时,
是多少？和
的值；
和不接
时单端输出的电阻
。
、共模输入电阻
时,
是多少？
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