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问题:

[单选] 在P型半导体中掺入微量的()等元素后,半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。

A . A、铟、铝、锑、镓
B . B、铟、铝、硼、镓
C . C、铟、磷、锑、砷
D . D、铟、锑、硼、镓

在全波整流电路的特点中,其中不正确的是()。 A、使用的整流元件较三相半波整流多1倍。 B、整流电压脉动较小,比半波整流小1倍。 C、变压器的利用系数比半波整流高。 D、整流元件承受反向电压较低。 在常用的整流电路形式中,其中不正确的是()。 A、单相半波。 B、单相桥式。 C、逆变整流。 D、三相桥式。 在N型半导体中掺入微量的()等元素,在半导体中就会产生许多带负电的电子。 A、锑、磷、砷。 B、锑、铝、砷。 C、铟、磷、砷。 D、锑、镓、砷。 半导体有三个主要特性,下面说法错误的是()。 A、光敏特性。 B、热敏特性。 C、掺杂特性。 D、压敏特性。 把一相绕组的末端与邻相绕组的始端顺序连接起来,即构成一个三角形回路,再从三个连接点引出三根端线,这就是三相()连接。 A、星形。 B、三角形。 C、串联。 D、并联。 在P型半导体中掺入微量的()等元素后,半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。
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