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问题:

[单选,A2型题,A1/A2型题] 如果缺牙区牙槽嵴吸收严重,则桥体应设计为()

A . 鞍式桥体
B . 改良鞍式桥体
C . 盖嵴式桥体
D . 舟底式桥体
E . 卫生桥

PFM修复体是由下列哪一项在真空炉内烧结而成的修复体() 高熔瓷粉与镍铬合金。 中熔瓷粉与烤瓷合金。 低熔瓷粉与中熔合金。 低熔瓷粉与烤瓷合金。 低熔瓷粉与金合金。 当烤瓷与金属熔附时,瓷应具有() 高熔附温度。 高熔附膨胀。 热膨胀率接近并低于金属。 热膨胀率接近并高于金属。 热膨胀率等于金属。 设计制作金属烤瓷冠基底蜡型时,在瓷和金属的结合处应做成() 直角。 锐角。 斜面。 凸面。 凹面。 Na+通道突然大量开放的临界膜电位是() 静息电位。 后电位。 阈电位。 局部电位。 动作电位。 神经细胞动作电位除极相的产生与Na+通道开放有关,这种Na+通道属于() 化学门控通道。 电压门控通道。 机械门控通道。 细胞间通道。 电突触。 如果缺牙区牙槽嵴吸收严重,则桥体应设计为()
参考答案:

  参考解析

卫生桥仅用于剩余牙槽嵴吸收较严重且外形恢复不良或有系带异常附着等个别情况。

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