杭州电子科技大学半导体物理2012考研试题研究生入学考试试题考研真题
● 摘要
杭州电子科技大学
攻读硕士学位研究生入学考试
《半导体物理》试题
(试题共 大题,共 页,总分150分)
姓名 报考专业 准考证号
【所有答案必须写在答题纸上,做在试卷或草稿纸上无效!】
一、多项选择题(本大题共4小题,每小题5分,共20分)
1.半导体材料是指
A)导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
B)有时候能导电,有时候不导电的材料。
C)禁带宽度小于5eV 的材料。
D)禁带宽度大于5eV 的材料。
2. 半导体材料中的施主指
A)材料中存在的外围电子数大于基体材料外围电子数的杂质。
B)材料中存在的外围电子数小于基体材料外围电子数的杂质。
B)材料中存在的能够向导带提供电子的缺陷。
C)材料中存在的能够向价带提供电子的缺陷。
3. 导带电子的有效质量指
A)把电子的静止质量换算成爱因斯坦质能方程对应的质量。
B)考虑了相对论效应影响后电子的质量。
C)考虑了晶格场影响以后电子的质量。
D)考虑了随机碰撞后电子的质量。
4. 价带空穴指
A)晶体中存在的电荷与电子相反的正电子。
B)价带中存在的正电子。
C)价带中缺少了电子后的空状态。
D)价带空穴不少实际存在的粒子。
二、简答题(本大题共10 小题,每小题10分,本大题共100分)
1.简述本征半导体材料的载流子浓度随温度的变化情况。
2.简述掺杂半导体材料的载流子浓度随温度的变化情况。
3. 简述半导体材料的电导率随温度的变化情况。
4. 简述半导体材料的电导率随载流子浓度的变化。
5. 简述半导体材料中的载流子在外场下的运动特点。
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