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一、判断题

1． 两者在开关过程中都需要时间, 在同样的工作电流下, BJT 的开关速度快于MOS 。（ ）

【答案】×

【解析】BJT 存在过量少子的存储效应, 开关速度慢。

2． 判断下列说法是否正确，用“√”、“×”表示判断结果填入空内。

(1)对于理想的稳压电路，（ ）

(3)因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。（ ） (4)在稳压管稳压电路中，稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流（ ）；而且，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。（ ）

【答案】(1)√；(2)√；(3)√; (4)×；√

【解析】稳压管的最大电流必须大于最大负载电流。

3． 为了改善阻容耦合放大电路的高频响应特性可通过下列措施实现:

(1)改用特征频率f T 高的晶体管。（ ） (2)增大耦合电容的容量。（ ）

(3)改进布线工艺，减小线路分布电容。（ ） 【答案】√；×；√。 【解析】提高征频率响应特性。由

，可以使上限截止频率增大，符合高频信号的要求，改善电路的高频可知，要使

提高，则应使电容减小。

。（ ）

(2)线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。

4． 试判断下列有关有源滤波器的说法是否正确。

(1)带通阻滤波器电路的Q 值愈大，它的通带度就越窄(设特征频率不变) 。（ ） (2)低通滤波器的通带截止频率一定低于高通滤波器的通带截止频率。（ ） (3)组成有源带通滤波电路至少需要两个电容器(设器件的带宽为无穷大) 。（ ） 【答案】√；×；√。

【解析】(1)Q值越大，过渡带越窄，选择性越好；(2)低通滤波器的截止频率不一定低于高通滤波器的的截止频率；(3)带通滤波器有上限截止频率和下限截止频率，所以至少需要两阶，即两

个电容器。

二、分析计算题

5． 在图所示FET 放大电路中, 已知和

在交流通路中可视为短路。

. 管子参数

。设

图

(1)求电阻

和静态电流

；

和

。

(2)求正常放大条件下RE 可能的最大值(提示:正常放大时, 工作点落在放大区(即恒流区)) ； (3)设可忽略, 在上述条件下计算【答案】(1)求

和

, 即有

(2)求即

, 为使Q 点落在放大区, 应满足

, 故有

(3)计算

和

, 当

时, 由

忽略

的影响, 可得

的条件,

6． 在图所示电路中, 己知4只

FET 的参数相同,

输出电流

,

试求

图

【答案】由图上可以看出:因4只FET 的特性相同, 所以

则

7．

电路如图(a)所示，设

(1)指出运放(2)求出

为理想运放。

所具有的反馈类型。

的表达式。

(3)画出为正弦波时，的波形。