问题：
[多选] 关于正胶和负胶的特点，下列说法正确的是（）。
正胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率高于负胶。正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解。负胶在显影时不会发生膨胀，因此分辨率不会降低。正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解。负胶在显影时会发生膨胀，导致了分辨率的降低。
问题：
[单选] 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
化学增强。化学减弱。厚度增加。厚度减少。
问题：
[单选] 在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
DQN。CA。ARC。PMMA。
问题：
[多选] 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
CA光刻胶对深紫外光吸收小。CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化。CA光刻胶在显影液中的可溶性强。有较高的光敏度。有较高的对比度。
问题：
[单选] 光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
150－200℃。200℃左右。250℃左右。300℃左右。
问题：
[多选] 涂胶之前，要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行，下列操作正确的是（）。
进行去水烘烤以保证晶片干燥。在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好。刚刚处理好的晶片应立即涂胶。贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥。也可以直接使用贮存的晶片。
问题：
[单选] 涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。
后烘。去水烘烤。软烤。烘烤。
问题：
[单选] 在VLSI工艺中，常用的前烘方法是（）。
热空气对流法。真空热平板传导法。红外线辐射法。射频感应加热法。
问题：
[多选] 按曝光的光源分类，曝光可以分为（）。
光学曝光。离子束曝光。接近式曝光。电子束曝光。投影式曝光。
问题：
[多选] 下列有关曝光系统的说法正确的是（）。
投影式同接触式相比，掩模版的利用率比较高。接触式的分辨率优于接近式。接近式的分辨率受到衍射的影响。投影式曝光系统中不会产生衍射现象。投影式曝光是目前采用的主要曝光系统。
