磷钙玻璃。三氯氧磷。三氯化磷。磷烷。掺磷二氧化硅乳胶源。
问题：
[单选] 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。
1050～1200℃。900～1050℃。1100～1250℃。1200～1350℃。
问题：
[单选] 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。
600～750℃。900～1050℃。1100～1250℃。950～1100℃。
问题：
[单选] 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
4～6h。50min～2h。10～40min。5～10min。
问题：
[单选] 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
4～6h。50min～2h。10～40min。5～10min。
问题：
[单选] 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
刻蚀。氧化。淀积。光刻。
问题：
[多选] 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
高分辨率。高灵敏度。精密的套刻对准。大尺寸。低缺陷。
问题：
[单选] 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶。涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶。涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶。前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶。
问题：
[多选] 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
树脂。感光剂。HMDS。溶剂。PMMA。
问题：
[多选] 关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。
负胶的感光区域溶解。正胶的感光区域溶解。负胶的感光区域不溶解。正胶的感光区域不溶解。负胶的非感光区域溶解。
