问题：
[单选] 二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。
降低。增加。不变。先降低后增加。
问题：
[单选] 硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（）。
钠。钾。氢。硼。
问题：
[单选] 钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（）杂质。
替位式。间隙式。施主。可能是替位式也可能是间隙式。
问题：
[多选] 二氧化硅层中的钠离子可能来源于（）。
玻璃器皿。高温器材。人体沾污。化学试剂。去离子水。
问题：
[多选] 解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（）。
加强工艺操作。加强人体和环境卫生。使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备。采用HCl氧化工艺。硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹。
薄膜表面无斑点。薄膜中的带电离子含量符合要求。薄膜表面无针孔。薄膜的厚度达到规定指标。薄膜厚度均匀，结构致密。
问题：
[多选] 二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。
比色法。双光干涉法。椭圆偏振光法。腐蚀法。电容-电压法。
问题：
[多选] 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
内部的杂质分布。表面的杂质分布。整个晶体的杂质分布。内部的导电类型。表面的导电类型。
问题：
[多选] 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。
埋层。外延。PN结。扩散电阻。隔离区。
问题：
[单选] 扩散工艺现在广泛应用于制作（）。
晶振。电容。电感。PN结。
