问题：
[单选] 若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（）。
处于绝对零度。不含任何杂质。不含任何缺陷。不含施主。
问题：
[单选] Si中掺金的工艺主要用于制造（）器件。
高可靠性。高频。大功率。高电压。
问题：
[单选] 半导体的载流子扩散系数大小决定于其（）。
复合机构。能带结构。晶体结构。散射机构。
质量较大的原子形成的半导体产生的空穴。价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴。价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴。自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴。
问题：
[单选] 若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（）。
本征半导体。金属。化合物半导体。掺杂半导体。
问题：
[单选] 在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率，是因为这样的材料（）。
无杂质污染。受宇宙射线辐射。化学配比合理。晶体完整性好。
问题：
[单选] 在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。
禁带较窄。禁带较宽。禁带是间接跃迁型。禁带是直接跃迁型。
问题：
[问答题] 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明。
问题：
[问答题] 举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？
问题：
[问答题] 漂移运动和扩散运动有什么不同？
