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问题：

[填空题] 目前测定硅单晶中的氧，碳含量最常用的方法（）收法。

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问题：

[填空题] 光电导衰退法是目前应用最广的方法，它有（）和直流光电导之分。

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问题：

[填空题] 测出的就是点接触外表面的导电类型。要求（），无氧化层，清洁无油污。

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问题：

[填空题] 硅半导体的导电过程存在（）和空穴两种载流子。

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问题：

[填空题] 半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。

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问题：

[单选] 用冷热探笔法测量（）半导体时，冷端带正电，热端带负电。

P型。N。PN型。以上皆不是。

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问题：

[单选] （）是影响硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。

点缺陷。线缺陷。面缺陷。微缺陷。

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问题：

[单选] 光图定向法结果直观，操作（），误差（）。

A．简单较大。B．复杂较大。C．简单较小。D．复杂较小。

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问题：

[单选] 悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。

3ｍｉｎ。5ｍｉｎ。7ｍｉｎ。10ｍｉｎ。

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问题：

[单选] 失效表明离子交换树脂可供交换的（）大为减少。

Cｌ¯。NA。H﹢和OH¯。CA。

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