2018年重庆理工大学光电信息学院804电子技术[专业硕士]之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟五套题
● 摘要
一、填空题
1． 在正弦波振荡电路中，为了满足振荡条件，应引入_____反馈，为了稳幅和减小非线性失真，可适当引入_____反馈。
【答案】正，负。
【解析】在正弦波振荡电路中，要求反馈信号能够取代输入信号，即电路中必须引入正反馈。而引入负反馈则可抑制由于半导体器件本身的非线性而引起的非线性失真。
2． (1) _____运算电路可实现. 的放大器。
(2) _____运算电路可实现(4) _____运算电路可实现函数(5) _____运算电路可实现函数(6) _____运算电路可实现函数
的放大器。
a 、b 和c 均大于零。 a 、b 和c 均小于零。
(3) _____运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
【答案】(1)同相比例；(2)反相比例；(3)微分；(4)同相求和；(5)反相求和；(6)乘方。
3． 某三极管处于放大状态，若各管脚对“地”电位，如图所示，试判断:
(1)管子类型_____，管子材料_____， (2)管脚名称a_____，b_____，c_____。
图
【答案】(1)管子电极类型为NPN 管，管子材料为硅管； (2)a为发射极，b 为基极，c 为集电极。 【解析】正偏压降为
，所以管子材料为硅管。由于a 、b 两端正偏压降为
，分别为发
射极和基极，由图可以推出c 为集电极，集电结应该处于反偏状态，又因为c 点电位最高(说明有电子流失) ，所以集电极为N 型，所以该管为NPN 管，且b 为基极，a 为发射极。
4． 场效应管的参数效应管。
是反映_____控制_____的能力。_____型场效应管输入阻抗高于_____型场
【答案】动态的栅一源电压; 漏极电流; 绝缘栅; 结。
【解析】场效应管的参数gm , 表示动态的栅一源电压对漏极电流的控制作用。绝缘栅型场效应管输入阻抗高于结型场效应管。
5． 场效应晶体管常用的分为_____和_____两大类, 它们与普通双极型管相比较, 最重要特点是_____。
【答案】结型, MOS 型, 双极型管有两种载流子同时参与导电而场效应管只有一种载流子参与导电。
二、简答题
6． 电路如图所示，设的最大值约为多少？
晶体管T 的
求解负载电流
图
【答案】按照电路图中标注的电流方向，可以得到节点电流又:
由式①②③得
7． 图(a)为整流滤波电路:
(1)电路中有一处比较严重的错误，请指出来； (2)分别定性画出接入滤波电容前后的
的波形；
(3)分别指出滤波电容前后流过二极管的电流有何变化？
，可得
。
图(a)
【答案】(1)根据变压器的副线圈的电压的不同方向，可以确定电路中电流的方向，由此可以
得到，当副线圈电压正向(上正下负) 时，
电流方向下正) 时，电流方向为
负载
负载，当副线圈电压负向(上负方向反了。
导通，
。由上述分析可知题中电路
(2)未接电容:根据电路方向和输出输入的关系，输出波形是正弦波，输出的电压值由输入电压和正副线圈之比决定。接上电容:假设电容在副线圈从正弦信号相位为零时接上。此时副线圈对电容充电。由于副线圈直流电阻和二极管正向电阻很小，
所以的电压将跟随副线圈的电压的变化，最后达到
也就很小，电容
(是副线圈电压) 。当副线圈电压向负向变化
时，所有的二极管由于反向偏压而截止，副线圈对输出电压没有贡献，电容和负载电阻组成RC 回路，此时电容进行放电，因为一般负载电阻比较大，所以放电的时间常数比较大，放电缓慢。当副线圈的电压变化到足以使达到
。
画出波形，如图(b)所示。
和
导通时，副线圈再次对电容充电，电容两端电压升高，最后
图(b)
(3)未接电容:副线圈为正电压时，和变化的前周期，有大电流存在；
当
时，两组二极管中某组导通，形成通路，对电容充电，直到达到最大值，此时有充
电电流存在。
8． 如图1所示电路, 已知:
对交流信号可视为短路, 求:
(1)静态时(3)求三极管的(5)若
开路, 求
和；
；
.
的值；
(2)画出放大器微变等效电路； (4)求电压放大倍数.
形成通路；副线圈为负电压时，
和
形成通路，
在整个过程二极管中均有充电电流存在。接上电容:开始时，电容没有初始电压，即在副线圈电压
电流均存在对电容充电，在以后的过程中，当
时，二极管均反偏，没
,
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