2017年清华大学机械工程系819电工电子学之电工学·电子技术考研冲刺密押题
● 摘要
一、选择题
1． 共射极阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器，则第一级电压放大倍数将（ ）
A. 提尚 B. 降低 C. 不变 【答案】A
【解析】射极输出器的输入电阻数
也増大。
很高，相当于前极放大电路的负载电阻增大，因此放大倍
2． 用n 个触发器构成计数器，可得到的最大计数长度为（ ）。
A.n B.2n C. D.
【答案】D
【解析】每个触发器可以计数为0或1两个不同的状态，这些状态彼此独立，最大计数长度
为
3． 放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（ ）。
A. 耦合电容与旁路电容的存在 B. 半导体的极间电容与分布电容的存在 C. 半导体的非线性特性 D. 放大电路的静态工作点变化 【答案】B
4． 在放大电路中，线性失真是（ ）。
A. 截止失真 B. 相位失真 C. 交越失真 D. 饱和失真
【解析】截止失真、饱和失真和交越失真都属于非线性失真。幅度失真和相位失真属于线性失真。
5． —个
管在电路中正常工作，现测得
则此三极管工作区为（ ）。
A. 截止区 B. 饱和区 C. 放大区 【答案】B
6． 用
构成放大器主要用三极管的（ ）作用。
A. 电流控制电流 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电压控制电压 【答案】A
7． 容量为位的ROM 共有（ ）条地址线。
A.13 B.14 C.15 D.12
【答案】A
【解析】ROM
的内存可以被表示成
所以地址线为13条。
8． 某场效应管的输出特性如图所示，试判断该管属于（ ）。
的形式，其中n 表示地址线，X 表示数据线
，
图
A. 沟道结型场效应管 B.N 沟道增强型C.N 沟道耗尽型D.P 沟道耗尽型
管 管 管
【解析】由图的曲线可知，该管零偏时已有沟道存在，为耗尽型管。变大，则可断定为沟道，且为型。
9． 容量是512KX8的存储器共有（ ）
A.512根地址线，8根数据线 B.19根地址线，8根数据线 C.17根地址线，8根数据线 D.8根地址线，19根数据线 【答案】B
【解析】化为存储器内存的标准形式：
10．下列电路，已知稳压管的稳定电压值
A. 饱和区 B. 放大区 C. 截止区
19为地址线，8为数据线。
如图所示，试判断该三极管处于（ ）。
为正时，沟道宽度
图
【答案】B
【解析】可以假设三极管工作在某一状态，然后根据电路判断该假设的正确性。对本题，假设三极管处于放大区，则发射极正偏，应有
且电流为
一般而言，三极管的值在三极管处于放大区。
到之间，于是有从而有集电极反偏，假设成立，
二、综合计算题
11．电路如图所示。其中晶体管的参数
（1）图
和
各为何种放大电路？其
和和
管各起什么作用？
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