2017年西安科技大学通信与信息工程学院819电子技术之电子技术基础-模拟部分考研导师圈点必考题汇编
● 摘要
一、分析计算题
1． 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度（2）若再掺入受主杂质，其浓度（3）若（4）若
反之为P 型，若相等则为本征半导体。
（1）己知本征硅室温时热平衡载流子浓度
值
所以可得多子自由电子浓度为
少子空穴浓度
该半导体为N 型。 （2）因为少子电子浓度
该半导体为P 型。 （3）因为（4）因为空穴浓度
该半导体为N 型。
所以
该半导体为本征半导体。 所以，多子自由电子浓度
所以多子空穴浓度
，施主杂
质
重复（1）
重复（1）
重复（1）
（1） 求室温300 K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。
【答案】 判断半导体类型，主要通过比较空穴与自由电子的浓度，自由电子浓度高则为N 型，
2． 判断图所示电路的反馈组态，估算电压放大倍数，并说明对输入、输出电阻的影响。
图
【答案】电路的反馈组态是电压串联负反馈，大倍数很大，AF 远大于1，因此
又由于运放的输入电阻很大，引入串联负反馈后，输入电阻增大到开环时的（1+AF）倍，因此，，电路的输入电阻可看作无限大；另外，引入电压负反馈后，输出电阻要降到开环时的1/（1+AF）而运放的输出电阻本来就较小，因此，电路的输出电阻可看作为零。
3． 电路如图所示，JFET 的求: （1）双端输出时的差模电压增益（2）电路改为单端输出时，
和
的值。
的值； ，反馈系数
。由于运放的开环放
图
【答案】（1）差模电压增益
（2）单端输出下差模增益
共模电压增益和共模抑制比为
4． 电路如图（a ）、（b ）所示，电源管是理想的。
为正弦波电压，绘制出负载两端的电压波形，设二极
图
【答案】根据二极管的单相导电性及所施加的正弦信号，得到的负载电压波形如图（c ）所示。 图（a ）中，
时，D 导通，
时，D 截止，时，
导通，
故
波形如图中故
所示。图（b ）
所示。
中，时，导通，
5． 电路如图（a ）和（b ）所示。试问: （2）当信号源内阻力强？ （3）当负载
变化时，哪个电路输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益稳定能力强？
波形如图中
（1）反馈电路的连接是否合理？为发挥反馈效果，两个电路对有何要求？
变化时，哪个电路的输出电压稳定性好？哪个电路源电压增益的稳定性能
图
【答案】（1）图（a ）:第一级是电流串联负反馈，第二级是电压并联负反馈，第一级对第二极相当于恒流源激励，对笫二级是合理的，即对第一级要求恒压源激励，以使电流串联负反馈起作用，即Rs 越小越好。图（b ）:第一级是电压并联负反馈，第二级是电流串联负反馈，第一级对第二级相当于恒压源激励，对第二级是合理的；对第一级要求恒流源激励以使电压并联负反馈起作用，即
越大越好。