SRAM中文名称中文名称是（）。 A、动态随机存储器。 B、动态。 C、静态。 D、静态随机存储器。
行Ⅴ形天窗的双线区段，当海拔不超过1000m时，上、下行间分段绝缘子串的泄露距离一般地区不少于（）。 A、960mm。 B、1000mm。 C、1200mm。 D、1600mm。
试述喷灌系统规划设计的步骤。
继电器型号JR5-10/3D中R表示（）。 A、中间继电器。 B、过流继电器。 C、热继电器。 D、欠压继电器。
DDR内存脚缺口为（）个。 A、1。 B、2。 C、3。 D、没有。
有关无机结合料稳定材料顶面法测定室内抗压模量的说法中，错误的有（）。
