● 摘要
采用直流反应磁控溅射法溅射金属靶材在玻璃基底上制备了掺钨氧化铟薄膜(In2O3:W，IWO)，研究了基片温度、溅射气氛、溅射功率等参数对薄膜表面形貌、光电及红外发射率等性能的影响。制备出具有低红外发射率以及较好光电性能的IWO薄膜，样品电阻率为6.3×10-4 Ω•cm，可见光区平均透过率约为90 %，近红外光平均透过率大于81 %，在红外大气窗口8~14 μm波段平均红外发射率最低可达0.22。利用PS微球模版及磁控溅射法，对IWO薄膜进行微网格表面修饰，修饰后样品电阻率为3.1×10-4 Ω•cm，在可见-近红外区透过率明显降低，在8~14 μm波段平均红外发射率可达0.17。研究了网格尺寸、网格溅射时间对IWO薄膜光电性能及红外发射特性的影响，探索了表面修饰对IWO薄膜的影响机理。
采用射频磁控溅射法溅射陶瓷靶材在玻璃基底上制备了ITO及两组不同掺钨量的IWO薄膜(钨掺杂量6 wt.%, 8 wt.%)，采用不同通量的原子氧辐照地面模拟实验对薄膜进行辐照处理，模拟了近地轨道中的环境，研究了辐照前后薄膜的组成结构，表面形貌，光电性能及力学性能的变化， 研究了原子氧及辐照对IWO薄膜的作用机理。探索了IWO薄膜作为温控涂层材料使用的可能性。