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问题:

[单选] 在本征半导体中掺入杂质的目的是()。

A . A、提高半导体的导电能力
B . B、降低半导体的导电能力
C . C、制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件
D . D、产生PN结

一只电容器表面标注“CD”字样,它是() A、铝电解电容器。 B、钽电解电容器。 C、聚丙烯电容器。 收音机线路板的调试是放在()进行的。 A、总装之后 。 B、整机调试之后 。 C、高压试验之后 。 D、总装之前。 1度电可供220V,40W的灯泡正常发光时间是()。 A、20h。 B、45h。 C、25h。 用电阻构成的衰减器()。 A、只有衰减,没有相移。 B、有衰减,也有相移。 C、有衰减、有相移,也有频移。 D、有衰减、有频移,没有相移。 一台三相电阻炉每相电阻为R=5.78Ω,在380v线电压接成星形联接时,它的功率是()。 A、25千瓦。 B、50千瓦。 C、75千瓦。 D、100千瓦。 在本征半导体中掺入杂质的目的是()。
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