2017年空军工程大学理学院885电路综合之电子技术基础-模拟部分考研题库
● 摘要
一、简答题
1． 稳压电路如图所示。求：
（1）标出（2）输出电压？
（3）当电网电压
电压的实际极性；
最高，
箭头处在什么位置
最低；
升高时，说明各点电位
的变化趋势，并说明怎样稳定
箭头处在什么位置（在下端或上端）
图
【答案】（1）由图中稳压管的极性以及上负下正；
（2）电位器滑动端电位设为1有
分析可得：当
箭头处在上端时k=l,
最高；当
箭头处在下端时
使
电压维持不变。
最低。 上升，输出
. 的下半部分电阻值设为
以
阴极作为参考点，则
发射结的极性可判断：
的实际极性为
（3）当电网电压升高，不变，电路中存在如下过程的负反馈：
2． 电路如图所示，设A1〜A3均为理想运放，电容上C 上的电压阶跃信号，求信号加上一秒钟后
所达到的数值。
若的
图
【答案】
当t=ls时，有
为同相输入迟滞比较器，其门限电压为
因在
时，
3． 已测得晶体三极管各极对地电位如图所示。试判断各晶体三极管处于何种工作状态（饱和、放大、截止或损坏）。
图
【答案】锗管
硅管
晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置PNP 管
三极管无论是PNP 型还是NPN 型
且集电结反向偏置，即NPN 管
在电流电压不同输入时，其发射结、集电结的状态是相同的，即截止区：发射结、集电结反偏；放大区：发射结正偏、集电结反偏；饱和区：发射结正偏、集电结正偏。
在图（a ）中，3AD6是锗PNP 管，所以晶体管工作在放大区。
在图（b ）中，3DG6是硅NPN 管，
即发射结反偏
即集电结反偏，所
即发射结正偏
即集电结反偏，
以晶体管工作在截止区。
在图（c ）中，3CG2是硅PNP 管，在图（d ）中，3BX1是锗NPN 管管工作在临界饱和区。 4 并联谐振电路如图．（a ）所示。已知线圈电感量
（1）求谐振频率
（2）采用部分接入方法，如图（b ）所5频带
而
不为零，表明发射结短路，晶体管已损坏。即发射结正偏
即集电结零偏，所以晶体
损耗电阻
#
，
，谐振电阻，空载和有载的品质因数 ，空载和有载的带宽BW 。
和通
，求此时电路的有载品质因数
图
【答案】根据题意可得: （1）
计算表明，Q 值越高，通频带越窄。 （2）
计算表明，采用部分接入方法，可提高回路Q 值，但使通频带下降。
5． 电路如图（a ）所示，BJT 的β=100
（1）试计算
画出其小信号等效电路，并计算
（2）在发射极与地之间接上1千欧的电阻，重复计算（1）的内容。