题目：基于低频噪声的光耦贮存寿命评价方法研究

        光电耦合器（简称光耦）具有体积小、寿命长、无触点、抗干扰性强等优点，被广泛应用于航空航天及军领域，光耦的可靠性评价问题也愈发受到重视。传统的寿命评价方法主要依附于电性能参数作为可靠性表征参量，忽略了潜在缺陷对器件可靠性的影响。低频噪声对主要影响可靠性的潜在缺陷极为敏感，光耦的低频噪声与其内部缺陷密切相关，因此对光耦的低频噪声及其可靠性评价开展相关研究可以有效补充甚至替代传统可靠性评价方法。本论文对基于低频噪声的光耦贮存寿命评价方法展开了系统的研究。

        论文首先研究了光耦在贮存条件下的失效模式及失效机理，详细阐述了其低频噪声理论；针对光耦的结构组成，完成了光耦失效及缺陷的低频噪声表征研究，并通过仿真验证了光耦电流传输比与其低频噪声在退化过程中的变化关系；论文归纳了低频噪声测试及分析方法，在此基础上制定了基于低频噪声的光耦贮存寿命评价方法和流程，并给出了爆裂噪声、产生-复合噪声（即g-r噪声）显著性判据及1/f分类判据。通过对HCPL2530型光耦样本开展基于低频噪声的贮存寿命评价方法应用研究，最终获得对三类子样本的贮存寿命评价结果。评价结果中类别差异明显，表明基于低频噪声的样本分类方法，可以较好地反映总样本多元化的样本特点，相比对样本寿命进行“一刀切式”传统评价方法更具参考意义。