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问题:
[判断题] 对于处于饱和区的MOS晶体管,漏源电流随其宽长比的增大而增大。
A . 正确
B . 错误
对于发光二极管,其内量子效率比外量子效率小。 正确。 错误。 CMOS电路与双极集成电路相比速度快。 正确。 错误。 如何理解党的两个先锋队? 正确。 错误。 同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。 正确。 错误。 为什么坚持党的领导必须改善党的领导 正确。 错误。 对于处于饱和区的MOS晶体管,漏源电流随其宽长比的增大而增大。
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对于发光二极管,其内量子效率比外量子效率小。
CMOS电路与双极集成电路相比速度快。
如何理解党的两个先锋队?
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
为什么坚持党的领导必须改善党的领导
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