题目：氧化锌和氧化锡纳米材料的制备及性质研究

ZnO 是一种重要的直接宽带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能为60 meV，对于开发蓝绿、蓝光、紫外等多种发光器件有巨大潜力。本文首先对近年来纳米ZnO 的主要制备方法及光学性质研究进展进行了综述。采用简单、温和的微乳液法在用CTAB（十六烷基三甲基溴化铵）作为表面活性剂的条件下在二甲苯体系中用水合肼还原ZnAc2•2H2O，成功的得到了尺寸分布均匀的纺锤体结构的纳米ZnO晶体，并对其生长机理和光学性质进行了研究。本文另一个工作是在简单、温和条件下，利用高分子修饰法，以PVP（聚乙烯吡咯烷酮）作为表面修饰剂，成功制备了平均直径大约为8 nm金红石结构的纳米SnO2颗粒，并对其生长机理和光学性质进行了研究。研究表明由于颗粒尺寸的变小产物的XRD图谱产生了明显的宽化；在382nm处得到了较强的紫外荧光峰，并且在419 nm和515 nm处有两个发光峰；拉曼光谱峰位都向低频率移动了大约160 cm-1，并且有明显的宽化。