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一、简答题

1． CMOS 运放如图所示。已知P 沟MOSFET

的

.N 沟MOSFET

的

各管的如所示。

（1）分析电路的组成。 （2）求

和

的漏极电流。

及

和

的

和

的

图

（3）求电路的差模电压增益【答案】（1）载；

和

和

和

和

组成电流源为

和

的有源负载，且具有

为

的有源负

为共源输出级的放大管，

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组成差放输入级，

提供偏置。

双一单端的转换功能，其增益与双端输出的相同；

组成电流源为

（2）

2． 共射放大电路如图1所示。

（1）试确定电路的静态工作点（写出（2）画出该放大器的小信号等效电路；

和

； 的表达式）

及源电压增益

的表达式（设电

（3）画出该放大器的输入电阻、输出电阻、电压增益； 容的容抗可忽略不计）

（4）用直流电压表测量时，若出现（5）用示波器观察

或

说明三极管工作在什么状态？

端波形时，若出现图1（b ）所示情况，为何种失真？应如何消除？

（6）若想改善放大器的低频特性，可以采用什么方法？

图1

【答案】⑴

（2）该放大器的小信号等效电路如图2所示。

图2

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（4）

饱和

截止

（5）饱和失真 增加（6）改善低频

阻值 增大

的容量

3． 图（a ）为达林顿电路的交流通路，设晶体管的

（1）画出该电路的低频小信号混合π等效电路。 （2）写出输入电阻

输出电阻

和电压增益

的表达式。

（a ） （b ）

图

【答案】（1）图（a ）的低频小信号混合π等效电路如图（b ）所示。 （2）

用辅助电源法可求得

4． 已知某晶体管在

画出高频混合型模型。

【答案】在高频的条件下，晶体管的极间电容是不能忽略的，耦合电容可以视作短路。混合参数的计算：

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时的

试计算该管的高频混合型参数，并