2017年常州大学材料学院812金属学考研冲刺密押题
● 摘要
一、名词解释
1． 偏析
【答案】偏析是指合金中各组成元素在结晶时分布不均匀的现象。
2． 离子键
【答案】离子键是通过两个或多个原子或化学基团失去或获得电子而成为离子后形成的。带相反电荷的离子之间存在静电作用，当两个带相反电荷的离子靠近时，表现为相互吸引，而电子和电子、原子核与原子核之间又存在着静电排斥作用，当静电吸引与静电排斥作用达到平衡时，便形成离子键。因此，离子键是阳离子和阴离子之间由于静电作用所形成的化学键。
3． 晶格常数
【答案】在材料科学研宄中，为了便于分析晶体中粒子排列，可以从晶体的点阵中取出一个具有代表性的基本单元（通常是最小的平行六面体）作为点阵的组成单元，称为晶胞；晶格常数指的就是晶胞的边长，也就是每一个立方格子的边长。沿晶胞边方向且长度与边长相等的矢量称为晶胞基矢，分别用a 、b 、c 表示。晶格常数是晶体物质的基本结构参数，它与原子间的结合能有直接的关系，晶格常数的变化反映了晶体内部的成分、受力状态等的变化。
4． 上坡扩散
【答案】上坡扩散是指原子从低浓度向高浓度处的扩散，扩散的驱动力是化学位梯度。
5． 位错
【答案】位错是指晶体中的一维缺陷或线状缺陷。
二、简答题
6． 简单立方晶体中，若位错线方向为[001]，试说明该位错属于什么类型的位错？
【答案】因位错线方向与柏氏矢量方向垂直，因此该位错为刃位错。
7． 简述固态相变与液态相变的相同点与不同点。
【答案】（1）相同点：都是相变，由形核、长大组成。临界半径，临界形核功形式相同。转变动力学也相同。（2）不同点：①形核阻力中多了应变能一项，造成固态相变的临界半径及形核功増
大；②新相可以亚稳方式出现；③存在共格、半共格界面，特定的取向关系；④非均匀形核。
8． 典型面心立方（fcc ）金属的配位数和致密度是多少？并指出其间隙类型及一个晶胞中间隙的数目。写出fcc 晶胞中原子的密排面和密排方向，并说明其密排面与密排六方（hcp ）结构金属的密排面排列有何不同。
【答案】（1）fcc :配位数12，致密度0.74，八面体间隙4个，四面体间隙8个；密排面{111}，密排方向<111>。
（2）密排面排列ABCABC …，而密排六方为ABAB …。
9． 立方形晶体中的位错环ABCDA 如图所示。AB 段和CD 段平行于Z 轴，AD 段和BC 段平行于X 轴，位错环的柏氏矢量b 平行于Y 轴，AD=d。刃位错的应力场如下
和螺位错的应力场公式
（1）指出各段位错线是什么性质的位错（如为螺位错，指出其是左旋或右旋；如为刃位错，指出其半原子面）。
（2）AB 段对CD 段单位长度的作用力是多大，在什么方向？
（3）在外应力作用下，单位长度各段位错所受的力各是多大，在什么方向？
图
【答案】（1）AB 、BC 、CD 、DA 段均为刃位错，位错环外的平面为半原子面。
（2）
（3）AB 段
：
CD 段：一y 方向。 BC 段：不受力。 y 方向。
DA 段：不受力。
10．如图所示，一刃型位错环位于断面为正方形的棱柱滑移面上，正方形的两边分别沿x 和y 轴，
柏氏矢量沿z 轴。如果位错环只能滑移，示意画出在以下两种应力分布情况下位错环的平衡形状：
a ）位错环及所受应力状况；b ）位错环的平衡形状
图
【答案】位错环的平衡形状如图（b ）所示。
11．本征半导体与掺杂半导体的导电机制有何不同？
【答案】本征半导体中参与导电的载流子是导带中的电子和等量的价带中的空穴，且费米能级位于禁带中央。而掺杂半导体中参与导电的载流子是导带中的电子和不等量的价带中的空穴，且费
，或向下方移动（如P 型半导体）米能级不位于禁带中央，或向上方移动（如n 型半导体）。
12．根据图所示的二元相图，回答下列问题。
图
（1）A1为面心立方金属，写出单胞中的原子数、致密度、配位数、密排面与密排方向。在单胞中画出密排面与密排方向。指出α的晶体结构。α与均是A1与Cu 相互作用的结果，说明α与