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天津工业大学410电子技术基础2005考研试题研究生入学考试试题考研真题

  摘要

2005年天津工业大学硕士研究生入学考试试题

试题编号:410(电子技术基础)

考生注意:本试卷共12大题,满分150分,考试时间为3小时;

所有答案写在答题纸上,在此答题无效。

一.填空题(本题共30个空,每空0.5分,满分15分)

1、半导体在热(或光照)作用下产生、对,这种现象称为。

2.S 、G 和D 分别为场效应管的、和 ,B 一般为。

3.一般放大电路求解静态工作点应利用态参数应利用 通道。

4.多级放大电路有和 等耦合方式。

5.电压放大电路输出级的两个基本要求:一是,二是 。

6.双极型管组成的集成运放,输入级多用

7.波特图由

8.对于放大电路,所谓开环是指;闭环是指 。

9.引入 。

10.稳定输出电压,应引入反馈;稳定输出电流,应引入 负反馈

11.产生正弦波振荡的幅值条件是,相角条件是 。

电子技术基础试卷 第1页(共6页)