2018年中国民航大学电子信息与自动化学院802电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研核心题库
● 摘要
一、简答题
1． 如图(a)所示倍压整流电路，要求标出每个电容器上的电压和二极管承受的最大反向电压；求输出电压
的大小，并标出极性。
图
(a)
图(b)
【答案】由电路结构可得:每个电容器上承受的最大电压在正负两个半周期内不同。正半周(a端正，b 端负) ，
导通，
和
两端电压最大值为
两端电压经:对
充电，
正半周，负半周，
导通，同理，导通，
两端电压最大值为
二极管承受的最大反向电压
ac 两端电压为
，bd 两端电压为
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两端电压的最大值为
负半周，导通，
两端电压最大值为
，电压极性如图(b)
所示。
2． 三级放大电路如图(a)所示.
设晶体管
的直流压降为
, 己知静态
.
(1)试求各管的静态集电极电流(2)画出电路的微变等效电路. (3)计算电压放大倍数
, 输入电阻
的
各电容对交流信号可视作短路.
, 和
和输出电阻
.
图(a)
【答案】(1)
(2)微变等效电路如图(b)所示
.
管均为共集电极接法,
为共射极接法.
图(b)
(3)首先求各管的
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3．
型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如图所示。 (1)说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。 (2)说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。
图
【答案】对于非平衡少子电子，所以
处P 区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度
晶体管，当发射结(集电结) 正偏时，由于从发射区(集电区) 向基区注入了
，当
发射结(集电结) 反偏时，在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。据此，可以判别:
(1)图(a):发射结反偏，集电结反偏。图(b):发射结正偏，集电结反偏。 图(c):发射结正偏，集电结正偏。图(d):发射结反偏，集电结正偏。 (2)图(a):截止。图(b):放大。 图(c):饱和。图(d):反向放大。
4． 多级放大电路如图1所示, 设电路参数
(1)判断电路中(2)画小信号等效电路; (3)求电路的静态工作点; (4)推导
的表达式。
各组成什么组态的电路;
已知。
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