2017年重庆理工大学机械工程学院804电子技术之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟题
● 摘要
一、填空题
1． 场效应晶体管常用的分为_____和_____两大类，它们与普通双极型管相比较，最重要特点是_____。
【答案】结型，MOS 型，双极型管有两种载流子同时参与导电而场效应管只有一种载流子参与导电。
2． 乙类推挽功率放大器会产生一种被称为_____失真的特有失真现象，为了克服此种失真，乙类推挽功率放大器应工作在_____状态。
【答案】交越，甲乙。
【解析】乙类推挽方式为同类型管子在电路中交替导通。若输入电压小于
间开启电压，两
，为克
管子均处于截止状态，输出电压会在过零附近产生交越失真。已知乙类状态导通角为
，则需采用甲乙类推挽方式，其导通角为服交越失真，导通角需要大于
3． 场效应管的参数是反映_____控制_____的能力。_____型场效应管输入阻抗高于_____型场效应管。
【答案】动态的栅一源电压；漏极电流；绝缘栅；结。 【解析】场效应管的参数
表示动态的栅一源电压对漏极电流的控制作用。绝缘栅型场效应
管输入阻抗高于结型场效应管。
4． 在一甲乙类功率放大电路中，一个三极管导通的角度是
【答案】
，而在一甲乙类功率放大电路中，三
【解析】晶体管工作在甲乙类状态时导通角为
，该电路的导通角是_____。
，即为极管导通的角度是能够全部导通。
5． 三极管的死区电压（又称导通电压），对硅三极管而言是_____伏，对锗管为_____伏。
【答案】0.5V ，0.1V
二、简答题
6 并联谐振电路如图（a ）所示。已知线圈电感量．
（1）求谐振频率
（2）采用部分接入方法，如图（b ）所5频带
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损耗电阻
#
，
，谐振电阻，空载和有载的品质因数 ，空载和有载的带宽BW 。
和通
，求此时电路的有载品质因数
图
【答案】根据题意可得: （1）
计算表明，Q 值越高，通频带越窄。 （2）
计算表明，采用部分接入方法，可提高回路Q 值，但使通频带下降。
7． 电路如图所示，设运放为理想器件，试分别求出输出电压与输入电压的关系式。图中（a ）存在
的关系。
图
【答案】（a ）由理想运放，得
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由通路得到
由通路得到
由给定条件并由上面两式相等，得到
（b ）理想运放，得由通路
由通路
得到得到
由通路
得到
由通路
得到
将上面计算的结果代入，得到
8． 电路如图1所示，晶体管的为200，和
为场效应管的为15mS ; Q 点合适。
求解
图1
【答案】交流等效回路如图2所示。
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