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武汉纺织大学2012年招收硕士学位研究生

试卷参考答案

科目代码 816 科目名称

报考专业电子技术基础 考试时间 2012年1月8日下午

一、 单项选择题（每小题2分，共40分。每小题的备选答案中只有一个最

符合题意）。

1. 当晶体管的温度升高时, 晶体管的I CEO 将（ c ）。

a. 、基本不变 b 、减小 c 、 增大 d 、随机不定

2. 如图(1-1)所示为一种门电路的两个输入A 、B 和输出Y 的波形图, 这个门电

路是（ d ）。

a. 、与门 b 、或门 c 、异或门 d 、同或门

3. 在晶体管放大电路中, 测得一个晶体管的三个电极的电位分别为：5.3V ，

2.2V ，和6.0V ；则该晶体管的类型为（ a ）。

a 、PNP 型硅管 b 、PNP 型锗管 c 、NPN 型锗管 d 、NPN 型硅管

4. 场效应管是通过改变（ b ）来控制漏极电流的。

a 、栅极电流 b 、栅源电压 c 、漏源电压 d 、栅漏电压

5、单管共发射极放大电路的电压放大倍数（ b ）。

a 、Au=1 b 、Au ＜0 c 、Au ＞1 d 、0＜Au ＜1

6、阻容耦合放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ c ）。

a 、耦合电容和旁路电容的存在 b 、放大电路的静态工作点不合适 c 、半导体管极间电容和分布电容的存在 d 、半导体管的非线性特性

7、在放大电路设计中，欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电压，应在放大电路中引入（ b ）。

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