武汉纺织大学电子技术_模拟数字_12005考研试题研究生入学考试试题考研真题
● 摘要
武汉科技学院
2005年招收硕士学位研究生试卷
试卷代号 考试时间
试卷名称 报考专业
电子技术（模拟和数字）
1、试题内容不得超过画线范围，试题必须打印，图表清晰，标注准确。
2、试题之间不能留有答卷的间隔，所有答案一律写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上无效。
题号 得分
一
二
三
四
五
六
七
八
九
十
十一 得分
模拟部分（共80分）
一、选择填空题（每空１分，共１０分）
（１）、当温度升高时，晶体管的ＵＢＥ ，ＩＣＥＯ ，β 。（ａ 不变、ｂ 增大、ｃ 减小）
（２）、当晶体管工作在饱和区时，其发射结处于 ，集电结处于 （ａ 零偏置、ｂ 正向偏置、ｃ 反向偏置）。
（３）、长尾式差动放大电路中Ｒｅ阻值越大，则 （ａ 差模电压放大倍数越大、ｂ 差模电压放大倍数越小、ｃ 共模电压放大倍数越大、 ｄ 共模电压放大倍数越小），同时，电路的共模抑制比ＫＣＭＲ （ａ 越小、ｂ 越大、ｃ 不变）。
（４）、集成运放放大器工作在线性区时，其电路结构形式为 （ａ 开环、ｂ 负反馈、ｃ 正反馈）。
（５）、当场效应管的漏极直流电流ＩＤ从2ｍＡ变为4ｍＡ时，它的低频跨导
ｇｍ将 （ａ 增大、ｂ 不变、ｃ 减小）。
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