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2017年西安科技大学电气与控制工程学院819电子技术之电子技术基础-模拟部分考研题库

  摘要

一、分析计算题

1. 图所示为自给栅偏压共源放大电路,N 沟耗尽型MOS 管的参数是:

试计算该电路的静态工作点。

【答案】极端静态工作点时电容均短路,由于耗尽型MOS 管栅源极之间是断开的,则图2可得

不考虑FET 的沟道调变效应时,在饱和区的漏极电流与栅、源间电压应满足关系式:

代入上式可得如下两组答:

显然,第①解FET 处在饱和区,有放大功能,是合理的; 第②解由第①解可得

,FET 截止,是不合理的。

2. 在图(a )所示电路中出

电阻上的电流方向,计算

阻的数值。

,信号源向网络提供的功率为100W. 试指

各电阻所得功率,计算

各电

【答案】由于电路为同相分配电路,输入功率由率同相分配给

,分配给

又将其所得功

〇由此并参见图(b )

可得

同理

中的电流流向如图(b )中箭头所示(也可为相反流向)。

, 的功率为

的输入功率为

所以

的功率分别为

3. 电路如图所示,

已知

的表达式。

试求各约为多少,并写

【答案】中频段电压放大倍数为

由于

所在电路的等效电阻远小于另两个电容所在电路的等效电阻,故可以近似

认为下限频率决定于所在回路的时间常数,有

先求出g —s 之间的等效电容

再求解其所在回路的时间常数R ,即可得到上限频率

中频带电压放大倍数:

电压放大倍数:

4. 集成运放作前置级的OCL 功放电路如图1

所示。已知

集成运入最大不失真输出电压幅值为

(1)计算电路的最大不失真输出功率及效率;

(2)为提高电路的输入电阻、降低输出电阻,并使放大性能稳定,问应引入何种类型的负反馈?请在图中画出。

管的