题目：三氧化钨基稀磁半导体纳米材料的制备与表征

近几年来，具有室温铁磁性的过渡金属掺杂氧化物，因其在自旋电子器件应用方面的发展前景引起了人们的广泛关注。同二氧化钛一样，三氧化钨等一些半导体氧化物都适合用于制备稀释磁性氧化物。本论文通过水热法，在硫酸钾存在下成功的制备了三氧化钨纳米带。并通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜（SEM），紫外可见吸收光谱（UV-vis）等手段对样品的形貌和光学性能进行了表征。本文合成的三氧化钨纳米带长度在几个微米，宽度在100纳米左右，并且深入研究了影响反应的参数，对pH值、温度、时间、表面活性剂等影响因子综合分析，得到了最终反应参数。在制备得到六方相三氧化钨纳米带的基础上，通过水热法制备得到了Co2+复合WO3纳米带。XRD、FT-IR和Raman测试表明，复合离子在样品中以Co2+形式存在，没形成金属Co的团簇或氧化物。此外，UV-Vis测试显示，复合后的WO3对波长在500-650nm范围的可见光有一定的吸收，而纯WO3则没有。在PL谱中，Co-WO3在波长470nm处的荧光发射峰强度小于纯WO3的强度。