2017年湖北工业大学理学院944电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研导师圈点必考题汇编
● 摘要
一、分析计算题
1． 放大电路如图（a ）所示。已知（1）试求该电路的静态漏极电流（3）画出低频微变等效电路。 （4）试求器件的；
值，电路的
和
和栅源电压
应取何值？
（2）为保证JFET 工作在饱和区，试问电源电压
图（a ）
【答案】电路为由N 沟道结型场效应管构成的共源极放大电路。 （1）T 为N 沟道JFET , 所以.
故可列出
联立上述方程，可得
（不合题意而舍去）
（2）为保证JFET 工作在饱和区，则应满足
因为
所以
如果考虑一定的输出电压动态范围，
可取
（3）低频微变等效电路如图（b ）所示。
图（b ）
（4）
由以上两式可得：
2． 在如图所示电路中，
为硅二极管，
为硅三极管，其中
A 为理想运算放大器。
（1）由上述几种参数，估算可能达到的最大不失真输出功率（2）计算为获得所需的（3）说明
管的作用。若
输入正弦电压的有效值应为多大？
管的
指出应如何选择电阻
以满足
的要求。
的
图
【答案】（1）由OCL 电路中晶体管的极限参数可知，
所以最大不失真输出功率为
（2）由反馈支路可知，电压放大倍数为：最大不失真输出电压的有效值为：所以输入正弦电压的有效值为：（3）
管与
管复合为NPN 管。采用复合结构可大大提高电流放大系数，从而提高输出电流幅
的静态工作点，消除交越失真；另外
可泄放
漏电流，从而对
管有
度；通过
为了满足
调整
限流保护作用。
的要求，在导通的状况下，
管的
则
基电极电流为：
为硅三极管，导通压降均为0.7V ，
所以
两端的电压降约为
要处于截止状态。
集电极电流为：由已知可得，
所以又因为故电阻
发射极电流为：
是硅二极管
，
因此，为满足的要求应选择电阻
3． 电路如图（a ）所示。设两个FET 的参数完全相同。 （1）试证明电压增益为（2）试证明输出电导为（3）如果
试求
和
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